Términos técnicos de Ingeniería Electrónica

En esta sección se presentan definiciones de componentes electrónicos.

• Diodo [Diode]: es un dispositivo de dos terminales que usualmente usa la unión pn. Los materiales del que está compuesto pueden ser silicio, germanio, arsenuro de galio, entre otros. Existen diversos tipos de diodos y además diferentes encapsulados.  
• Arreglo de diodos [Diode array]: grupo de diodos dentro de un semiconductor. Los cátodos de dichos diodos son conectados juntos y los ánodos por otro lado también se unen.
• Caída de voltaje directo [Forward voltage drop]: es el voltaje de caída a través del diodo cuando la corriente se encuentra fluyendo en polarización directa. El voltaje de caída típico es 0.7 volts.
• Diodo avalancha [Avalanche diode]: diodo diseñado para operar en la región de caida de avalancha.
• Diodo Barritt [Barritt diode]: diodo también denominado Baritt, el cual opera de forma similar al diodo IMPATT, sin embargo, el diodo Barritt usa emisión termoiónica que tenga menos ruido. Las frecuencias de operación son determinadas mediante los tiempos a través la región deplexión.
• Diodo de inyección láser [Injection Laser Diode (ILD)]: es láser que usa un semiconductor que polarizado directamente como medio activo.
• Diodo de película de óxido de níquel [Nickel-Oxide Film Diode]:es un diodo que está hecho de una película de óxido de níquel. Se ha demostrado que puede ser usado en applicaciones como celdas solares, displays electrocromicos y diodos transparentes, entre otros.
• Diodo de recuperación escalonada [Step Recovery Diode]: es dispositivo de estado sólico de unión pn, en el que el voltaje de polarización directa inyecta portadores a través de la unión, pero antes de la recombinación de los portadores, se aplica un voltaje inverso para devolver los portadores de carga a su fuente como grupo.
• Diodo de vídrio [Glass diode]: diodo cuyo cuerpo es de vídrio.
• Diodo detector [Diode detector]: es un demodulador que usa uno o más diodos para rectificar una salida con un valor promedio que es proportcional a la modulación original. Es un dispositivo que convierte energía RF en salida de CD o de vídeo.
• Diodo emisor de luz [Light Emitting Diode (LED)]: semiconductor usado en paneles indicadores, ha reemplazado muchas aplicaciones para emitir luz. El color de la luz que emiten depende del material que se agrega a este semiconductor.
• Diodo Gunn [Gunn diode]: es un semiconductor que tiene una resistencia negativa, utilizado en aplicaciones de potencia principalmente como osciladores.
• Diodo IMPATT [IMPATT diode]: es un dispositivo semiconductor de radiofrecuencia que es usado para generar señales de radiofrecuencia de microondas. Típicamente puede generar entre 3 y 100 GHz.
• Diodo láser [Laser diode]: es un tipo de LED. Estos diodos son bombeados electricamente. Los eletrónes y los huecos se recombinan liberando energía en forma de fotones. Dicha energía puede ser espontánea o incidental.
• Diodo MIM [MIM diode]: es un diodo con una capa de material de aislamiento localizado entre dos capas de superficie metálica que opera como un diodo túnel.
• Diodo PIN [PIN diode (Positive-Intrinsic-Negative Diode)]: es un diodo con una región intrínseca muy grande que se localiza entre la unión p y la n. Se usa como atenuador, en aplicaciones que requieran conmutación rápida o de alto voltaje. Tiene baja capacitancia, lo que lo hace buen conductor de RF.
• Diodo punto de contacto [Point-Contact diode]: es un diodo en el que una términal de alambre fino es presionada contra un semiconductor. Está construcción es denominada también bigotes de gato o diodo cristal. Son los dispositivos semiconductores más antiguos para producir microondas.
• Diodo rectificador [Rectifier diode]: convierte la señal de corriente alterna (CA) en corriente directa (CD)
• Diodo Schottky [Schottky Diode]: es un diodo capaz de proveer una caida de voltaje muy corta.
• Diodo Shockley [Shockley diode]: es un semiconductor de cuatro capas pnpn. Tiene dos terminales. Se usa en circuitos de conmutación.
• Diodo túnel [Tunnel diode]: este diodo se dopa a niveles de alrededor de 100 veces más que un diodo normal, lo que produce una región de resistencia negativa mayor. Por lo que la zona de empobrecimiento se reduce y los penetradores entran a una velocidad mayor que un diodo típico.
• Diodo varactor [Varactor diode]: también denominado varicap o VVC, son diodos que varian su capacitancia, la cual depende del voltaje.
• Diodo Zener [Zener diode]: es un diodo que provee de un voltaje definido y estable. Se utiliza en fuentes de poder cuando se regulan las salidas requeridas, aunque también en aplicaciones donde se requiere un voltaje definido. Ofrece una caída en polarización inversa en un voltaje definido.
• Fotodiodo [Photodiode]: es un diodo cuya región de operación está limitada por la región de polarización inversa. Se aplica luz para en el material p y n, lo cual incrementa el número de portadores minoritarios y por lo tanto incrementa la corriente inversa.
• Fotodiodo de germanio [Germanium photodiode]: los fotodiodos de germanio abarcan un espectro de longitud de onda más amplio que los de silicio, lo cual hace que se prefieran en aplicaciones de luz infrarroja, como la de los lásers.
• Fotodiodo de silicio [Silicon photodiode]: estos fotodiodos tienen un nivel más bajo de corriente inversa que los de germanio.
• Puente rectificador [Bridge rectifier]: es un circuito o componente con 4 diodos, el cual rectifica la onda completa.
• Varistor [Varistor]: es un dispositivo el cual reducr su resistencia cuando el voltaje aumenta. Su tiempo de respuesta es rápido. Se utilizan como limitadores de picos de voltaje.